半導(dǎo)體全面分析系列分三篇,本篇是市場分析,后兩篇分別是技術(shù)、產(chǎn)業(yè)分析。
一、兩大特性
1. 能帶
導(dǎo)體,咱能理解,絕緣體,咱也能理解,不好理解的,怕是半導(dǎo)體了
原子組成物質(zhì)時(shí),會有很多電子混到一起,但2個(gè)相同電子沒法待在一個(gè)軌道上,于是,很多軌道就分裂成了好幾個(gè)軌道,這么多軌道擠在一起,不小心挨得近了,就變成了寬寬的大軌道。在量子力學(xué)里,這種細(xì)軌道叫能級,擠在一起變成的寬軌道就叫能帶
有些寬軌道擠滿了電子,電子不能移動,宏觀上表現(xiàn)為不能導(dǎo)電
有些寬軌道空間很空曠,電子自由移動,宏觀上表現(xiàn)為導(dǎo)電
有些滿軌道和空軌道挨的太近,電子可以毫不費(fèi)力從滿軌道跑到空軌道上,于是就能自由移動,這就是導(dǎo)體
如果兩條寬軌道之間有空隙,電子單靠自己跨不過去,表現(xiàn)為不導(dǎo)電
如果空隙的寬度在5ev之內(nèi),給電子加個(gè)額外能量,也能跨到空軌道上,跨過去就能自由移動,表現(xiàn)為導(dǎo)電。這種空隙寬度不超過5ev的固體,有時(shí)導(dǎo)電、有時(shí)不導(dǎo)電,所以叫半導(dǎo)體
2. 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體 Semiconductor 是指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料
通常金屬的電導(dǎo)率大于一萬(10 4 )Ω -1 cm -1 ,如鋁、銅、銀、鉑等,而絕緣體的電導(dǎo)率則小于百億分之一(10 -10 )Ω -1 cm -1 ,如橡膠、陶瓷、塑料等,電導(dǎo)率介于10 4-10 -10 Ω -1 cm -1 之間的一種固體材料,則被稱為半導(dǎo)體
下面有點(diǎn)燒腦細(xì)胞
3. 摻雜特性
半導(dǎo)體的電導(dǎo)率并不是一成不變的,它會隨著摻入雜質(zhì)元素、受熱、受光照、受到外力等種種外界條件,而在絕緣體和金屬之間電導(dǎo)率區(qū)間內(nèi)發(fā)生變化,這些特性使得半導(dǎo)體衍生出了較為豐富的應(yīng)用場景
一種是摻入Ⅴ族元素(常用的有磷P、砷As),V族元素相比Ⅳ族的外層電子多出一個(gè),多出的電子能夠作為導(dǎo)電的來源,這種摻雜手段被稱為N(Negative)型摻雜
另一種是摻入Ⅲ族元素(常用的有硼B(yǎng)、氟化硼B(yǎng)F2),Ⅲ族元素相比Ⅳ族的外層電子少一個(gè),這種缺少電子的空位被稱為空穴,空穴同樣能夠?qū)щ姡瑢?yīng)的摻雜手段被稱為P(Positive)型摻雜
PN 結(jié)
把PN這兩種半導(dǎo)體面對面放一起會咋樣?不用想也知道,N型那些額外的電子必然是跑到P型那些空位上去了,一直到電場平衡為止,這就是大名鼎鼎的“PN結(jié)”(動圖來自《科學(xué)網(wǎng)》張?jiān)频牟┪?
PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?,電流只能從這一頭流向另一頭,無法從另一頭流向這一頭
如果將PN結(jié)加正向電壓,即P區(qū)接正極,N區(qū)接負(fù)極,多數(shù)載流子將在外電場力的驅(qū)動下源源不斷地通過PN結(jié),形成較大的擴(kuò)散電流,稱為正向電流
如果加個(gè)反向的電壓,多數(shù)載流子擴(kuò)散運(yùn)動減弱,沒有正向電流通過PN結(jié),只有少數(shù)載流子的漂移運(yùn)動形成了反向電流。由于少數(shù)載流子為數(shù)很少,故反向電流是很微弱的,電阻很大
一個(gè)PN 結(jié)就可以形成半導(dǎo)體器件中最簡單的二極管(Diode),它同時(shí)也是構(gòu)筑三極管(BJT )、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)等其他眾多半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)
下面舉個(gè)例子加深理解
為什么張無忌給女的輸內(nèi)力就要脫衣服,男的不用?
針對張無忌傳輸內(nèi)功:假設(shè)男性為P型摻雜,女性為N型摻雜,內(nèi)功為電子運(yùn)動形成的電流,則有:男–男傳輸內(nèi)功時(shí),載流子在同摻雜半導(dǎo)體內(nèi)運(yùn)動,其情形相當(dāng)于在電阻中運(yùn)動,不需要克服勢壘
當(dāng)男–女傳輸內(nèi)功時(shí),電子在PN結(jié)中運(yùn)動,需要克服勢壘(衣服)才能流動,因此需要降低勢壘
4. 光電特性
光生電:在PN結(jié)處沒有可以自由移動的電子和空穴,但是晶格原子外層有許多被束縛的共價(jià)電子。光照能使共價(jià)電子獲得能量,脫離晶格原子的束縛,變成可以自由移動的電子和空穴。而電子和空穴都是構(gòu)成電流的成分,因此光照可以使PN結(jié)產(chǎn)生電流。PN結(jié)光生電的特性使它能夠制備成雪崩二極管、 PIN二極管,這些器件 廣泛應(yīng)用于光探測器、太陽能電池等 領(lǐng)域
電生光:反之,若在PN結(jié)兩端加以正向電壓,半導(dǎo)體中的電子和空穴就會在結(jié)處相遇之后消失(復(fù)合),并產(chǎn)生一束光子,前提是制造PN結(jié)的材料為直接帶隙半導(dǎo)體。PN 結(jié)電生光的特性使它能制作成發(fā)光二極管(LED)、激光二極管(LD )等,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體照明、光通訊中的光源、3DSensing 等領(lǐng)域
直接帶隙半導(dǎo)體,是指這種材料中的電子和空穴復(fù)合時(shí)遵循動量守恒,如化合物半導(dǎo)體材料:GaAs、GaP、GaN等。而對于應(yīng)用十分廣泛的硅材料來說,它屬于間接帶隙半導(dǎo)體,用硅材料制造的PN結(jié)只能制造具有整流、開關(guān)特性的二極管,并不能發(fā)出光子
二、四大分類
5. 四大分類
半導(dǎo)體在應(yīng)用上可以分為四類產(chǎn)品,分別是集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器,詳細(xì)分析請持續(xù)關(guān)注本公眾號(史晨星 shichenxing1)
分立器件:單個(gè)的二極管、三極管、功率半導(dǎo)體器件(如LDMOS、IGBT等)都屬于分立器件。它們相比集成電路的缺點(diǎn)就是體積大,但是在一些場合(如超大功率、半導(dǎo)體照明),分立器件比集成電路更具優(yōu)勢
光電子器件(photoelectron devices)是利用電-光子轉(zhuǎn)換效應(yīng)制成的各種功能器件。光電子器件應(yīng)用范圍廣泛,包括光通訊、光顯示、手機(jī)相機(jī)、夜視眼鏡、微光攝像機(jī)、光電瞄具、紅外探測、紅外制導(dǎo)、醫(yī)學(xué)探測和透視等多個(gè)領(lǐng)域
傳感器:傳感器是將環(huán)境中的物理量轉(zhuǎn)化為電學(xué)量的一種檢測裝置
集成電路(integrated circuit)(縮寫IC)是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝,把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上,然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi),成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu),也叫做芯片
芯片種類繁多,根據(jù)處理信號的不同,可以分為模擬集成電路、數(shù)字集成電路。
三、萬億規(guī)模
6. 全球
據(jù)WSTS最新數(shù)據(jù),2018年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá)到4780億美金,預(yù)測2019年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)到4901億美金
根據(jù) WSTS 數(shù)據(jù),分立器件銷售額為 241.02 億美金、光電子銷售額為 380.32 億美金、傳感器銷售額為 133.56 億美金、集成電路(Integrated Circuit,簡稱 IC)銷售額為 3932.88 億美金,分別占到全球半導(dǎo)體銷售總額的 5.14%、8.11%、2.85%、83.9%
根據(jù) IC Insights、Gartner數(shù)據(jù),2018 年全球集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)值為 1139 億美金,集成電路封測產(chǎn)值為 560 億美金,IC 制造環(huán)節(jié)的產(chǎn)值約為 2233.8 億美金,設(shè)計(jì)、制造、封測環(huán)節(jié)的產(chǎn)值占比分別為 29%、57%、14%
7. 中國
從市場結(jié)構(gòu)來看,中國和美洲(主要是美國)已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體前兩大消費(fèi)市場,2018 年,其市場規(guī)模占比分別為 32%、22%,其次是歐洲和日本
8. 應(yīng)用
根據(jù) IC Insights 數(shù)據(jù),2018年集成電路的主要下游應(yīng)用可分為電腦(36.6%)、通信(36.4%)、消費(fèi)電子(11.0%)、汽車(8.0%)、工控(8.0%)、軍用(6.5%),預(yù)計(jì)2023 年通信市場將超越電腦成為集成電路最大的下游市場,占比有望達(dá)到 35.7%,汽車市場占比也有望較 18 年提升 1.8pct
物聯(lián)網(wǎng)及汽車電子為全球半導(dǎo)體市場發(fā)展新動力
四、三大政策
9. 中國三大政策
全球各國對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)均有各種支持
中國三大政策
2014年6月24日,國家集成電路推進(jìn)綱要發(fā)布,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金正式設(shè)立
中國制造 2025 彰顯國產(chǎn)化決心
《極大規(guī)模集成電路制造技術(shù)及成套工藝》項(xiàng)目,因次序排在國家重大專項(xiàng)所列 16 個(gè)重大專項(xiàng)第二位,在行業(yè)內(nèi)被稱為“02 專項(xiàng)”。
五、重要性
10. 信息產(chǎn)業(yè)基石
集成電路被稱為現(xiàn)代工業(yè)的“糧食”,在信息時(shí)代,電腦、手機(jī)、家電、汽車、高鐵、電網(wǎng)、醫(yī)療儀器、機(jī)器人、工業(yè)控制等各種電子產(chǎn)品和系統(tǒng)都離不開集成電路。美國更是把集成電路產(chǎn)業(yè)稱為未來 20 年從根本上改造制造業(yè)的四大技術(shù)領(lǐng)域之首
11. GDP 正相關(guān)
全球半導(dǎo)體行業(yè)的增速波動與全球GDP波動的相關(guān)性呈現(xiàn)高度一致(2010 至今,相關(guān)系數(shù)為 0.57)
12. 貿(mào)易逆差首位
集成電路產(chǎn)品已成為我國最大宗進(jìn)口商品。根據(jù)我國海關(guān)總署數(shù)據(jù),自 2015 年以來我國集成電路進(jìn)口金額長期超出原油,2018 年我國集成電路進(jìn)口總額超過 3100 億美金
13. 卡脖子
歐美國家為保護(hù)半導(dǎo)體技術(shù),制訂了一系列技術(shù)出口限制政策,而對中資的海外并購也制訂各項(xiàng)審查措施
根據(jù)芯謀研究估算數(shù)據(jù),中國企業(yè)僅在分立器件、移動處理和基帶、邏輯芯片三個(gè)領(lǐng)域分別實(shí)現(xiàn)了約 17%、12%、6%的自給,其他領(lǐng)域仍然重度依賴進(jìn)口
集成電路領(lǐng)域嚴(yán)重的進(jìn)口依賴,影響到我國的信息安全、金融安全、國防安全、能源安全,中興、華為事件更是為我們敲響了警鐘
來源:第一電動網(wǎng)
作者:史晨星
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